読み書きが高速で耐久性に優れる「相変化メモリ」の低価格化へ向けた第一歩が実現


IBMリサーチの研究者が、現在使われているDRAMやフラッシュメモリの利点を備えた相変化メモリ(Phase Change Memory:PCM、PRAM)の1つのセルに3ビットを格納することに成功しました。これまでに成功していたのは1セルに1ビットでしたが、今回の成功により、相変化メモリを同密度のフラッシュメモリに迫る価格で作れるようになったとのこと。続きを読む……この記事の続きを読む

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